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摘要:
利用磁控溅射离子镀技术于不同占空比下在单晶Si基体上制备出纯Cr镀层,采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了纯Cr镀层表面和截面微观形貌、沉积速率和择优生长取向的变化规律.结果表明:占空比的改变显著影响着纯Cr镀层的微观形貌、择优生长取向和致密度.随着占空比的增大,纯Cr镀层的微观组织结构由柱状晶向均匀、细小纳米晶转变,纯Cr镀层的厚度和沉积速率相应增大,同时纯Cr镀层沿(110)晶面的择优生长取向程度减弱.
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文献信息
篇名 占空比对磁控溅射纯Cr镀层微观组织结构的影响
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 占空比 磁控溅射 微观形貌 择优取向
年,卷(期) 2010,(2) 所属期刊栏目 学术论文
研究方向 页码范围 133-137
页数 5页 分类号 TB43
字数 4152字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.02.07
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蒋百灵 西安理工大学材料学院 241 5240 40.0 64.0
2 李洪涛 西安理工大学材料学院 23 146 8.0 10.0
3 曹政 西安理工大学材料学院 12 52 5.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
占空比
磁控溅射
微观形貌
择优取向
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