脉冲激光沉积法在GaN基片上制备c轴取向LiNbO3薄膜

• 作者: 廖秀尉 朱俊 罗文博 郝兰众
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LiNbO3薄膜 c轴取向 脉冲激光沉积 XRD
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 496-499
• 分类号: O484.1|O484.2
• 字数: 2478字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.05.09

摘要

采用LiNbO3单晶靶材,以激光脉冲沉积方法在六方GaN(0001)基片上沉积制备c轴取向的LiNbO3薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成、外延关系、表面形貌、晶粒大小的影响.结果显示,沉积温度500 ℃、氧分压20～30 Pa是在GaN基片上生长c轴取向LiNbO3薄膜的最优生长条件.XRD分析表明,生长的LiNbO3薄膜具有两种晶畴结构,其外延关系分别为[1-100](0001)LiNbO3//[11-20](0001)GaN和[10-10](0001)LiNbO3//[-12-10](0001)GaN.SEM和AFM对薄膜的表面形貌表征表明,在最优生长条件下沉积的薄膜表面平整,致密度好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	34	102	5.0	6.0
2	郝兰众	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	7	19	3.0	4.0
3	罗文博	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	25	79	5.0	6.0
4	廖秀尉	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	4	1.0	2.0