In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气的零场自旋分裂

• 作者: 代娴 周文政 商丽燕 崔利杰 曾一平 林铁 褚君浩
• 来源期刊: 广西大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 二维电子气 磁输运 零场自旋分裂
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 1027-1031
• 分类号: O472|TN304.2
• 字数: 2912字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7445.2010.06.027

摘要

用分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品.在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas, 2DEG).对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线.观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应.也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台.对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率.对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier transform, FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致.对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周文政	广西大学物理科学与工程技术学院	16	38	3.0	5.0
2	代娴	广西大学行健文理学院	2	1	1.0	1.0
3	林铁		1	0	0.0	0.0
4	商丽燕	华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0