22 nm光刻技术前景

• 作者: Stefan Wurm
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 22nm节点 解决方案 极紫外光刻 双重图形光刻 多图形光刻
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.02.001

摘要

在国际半导体技术蓝图(ITRS)指点定的22 nm节点中[1],该产业将在两种竞争的光刻解决方案中进行选择,这将取决于其产品的发展路线图.在某些情况下,业界甚至可能会同时使用两种方案.这两种竞争方案就是极紫外光刻技术(EUVL)和32 nm节点由193 nm浸没式双重图形光刻(DPL)扩展到多图形的光刻技术.讨论了两种技术,比较了两种技术所需的关键解决方案的现状,以及存在的挑战.