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Frequency dispersion effect and parameters extraction method for novel HfO2 as gate dielectric
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | Frequency dispersion effect and parameters extraction method for novel HfO2 as gate dielectric | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 频散效应 二氧化铪 提取方法 MOS电容器 HfO2/SiO2 界面陷阱密度 SiO2/Si 介电 | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2010,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 878-884 | |
| 页数 | 7页 | 分类号 | TN24 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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MOS电容器
HfO2/SiO2
界面陷阱密度
SiO2/Si
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