基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工

• 作者: 吴亚明 李四华 黄占喜
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 光刻 多掩膜 体硅工艺
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 313-318
• 分类号: TP211.4
• 字数: 3786字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2011.03.015

摘要

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工.通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photoresist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜.该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀(Deep Reactive Ion Etching,DRIE)、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄占喜		1	18	1.0	1.0
5	吴亚明		1	18	1.0	1.0
6	李四华		1	18	1.0	1.0