作者:
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
在直拉单晶硅生长过程中,埚跟比(即坩埚上升速度与晶体提拉速度的比值)的设置非常重要,它直接决定了液面位置的稳定性。其不但影响单晶硅成品的质量,而且不合理的埚跟比设置可能会在直拉单晶硅生长过程中出现变晶断苞,导致单晶生长失败。目前国内大多数光伏单晶硅生产商仅仅依靠人工经验来设置埚跟比,其准确性很难保证。采用体积元积分的方法,精确计算埚跟比,解决了由于石英坩埚内表面尺寸的非线性变化带来的埚跟比不准确的问题,提高了液面位置的稳定性和直径测量的准确性,并在实践中验证此方法是切实可行的。
推荐文章
单晶硅晶圆晶向的精确标定方法
微机电系统
体硅工艺
晶向
某单晶硅辐照系统辐射防护评价
单晶硅辐照
活化活度
屏蔽
周围剂量当量
单晶硅微薄膜V形缺口疲劳特性研究
微机电系统
单晶硅
薄膜
疲劳
断口分析
片外测试
基于图像处理的单晶硅金字塔织构测量方法研究
单晶硅金字塔
图像处理
特征分析
图像滤波
图像二值化
图像分割
形态学处理
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 直拉单晶硅中埚跟比的精确计算研究
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 直拉单晶硅 埚跟比 液面位置 石英坩埚
年,卷(期) 2011,(8) 所属期刊栏目 光伏制造工艺与设备
研究方向 页码范围 23-26,40
页数 分类号 TF806
字数 3082字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2011.08.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王蕾 10 56 5.0 7.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (2)
节点文献
引证文献  (6)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1998(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2004(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2011(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2015(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2016(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2018(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2019(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
直拉单晶硅
埚跟比
液面位置
石英坩埚
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
出版文献量(篇)
3731
总下载数(次)
31
总被引数(次)
10002
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导