Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长

• 作者: 修向前 刘战辉 华雪梅 周安 张荣 施毅 谢自力 郑有炓 韩平 颜怀跃
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化物气相外延 HVPE Si GaN
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 509-511,515
• 分类号: TN304.2|O472+.3
• 字数: 2716字
• 语种: 中文

摘要

在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AIN为缓冲层,使用氮化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15Km的c面GaN厚膜.并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质.分析结果表明,GaN厚膜具有六方纤锌矿结构,外延层中存在的张应力较小,为0.17GPa,在363.7nm处具有很强的GaN带边发光峰,没有黄带出现.AIN缓冲层有效地阻止了Si衬底和反应气体发生非生长的附加反应,并减小了GaN厚膜自身残余应力,有利于Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜的生长.