ICP硅刻蚀中底部掏蚀现象研究

• 作者: 吕东锋 郭群英 陈璞 黄斌
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 深槽刻蚀 结构释放 Log效应 掏蚀
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7

摘要

等离子硅深槽刻蚀中，反射离子造成的掏蚀现象直接影响MEMS器件的加工质量，通过在现有ICP硅深槽刻蚀工艺条件的基础上进行改进，有效的降低了等离子的反射密度和能量，大大改善了结构释放过程中底部掏蚀的不良影响，为底部掏蚀问题提供了一种可供参考的解决方案。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕东锋	北方通用电子集团有限公司微电子部	2	0	0.0	0.0
2	陈璞	北方通用电子集团有限公司微电子部	7	0	0.0	0.0
3	黄斌	北方通用电子集团有限公司微电子部	6	0	0.0	0.0
4	郭群英	北方通用电子集团有限公司微电子部	3	0	0.0	0.0