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摘要:
阐述了SDB-SOI晶片的减薄技术的特点和要求,依次介绍了化学机械抛光、电化学自停止腐蚀、等离子抛光技术和智能剥离技术的原理和特点,并指出了SDB-SOI晶片减薄的发展趋势。
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 SDB-SOI晶片减薄技术综述
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 SDB-SOI减薄 化学机械抛光 电化学自停止腐蚀 等离子抛光 智能剥离
年,卷(期) 2011,(10) 所属期刊栏目 CMP制造工艺与设备
研究方向 页码范围 33-36
页数 分类号 TN305.2
字数 1829字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2011.10.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙涛 中国电子科技集团公司第四十六研究所 6 10 2.0 3.0
2 张伟才 中国电子科技集团公司第四十六研究所 22 42 4.0 4.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
SDB-SOI减薄
化学机械抛光
电化学自停止腐蚀
等离子抛光
智能剥离
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
出版文献量(篇)
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10002
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