CuInS2薄膜的单源热蒸发制备及其性能研究

• 作者: 王震东 莫晓亮 陈国荣
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: CuInS2粉末 真空烧结 CuInS2薄膜 单源热蒸发
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 29-32
• 分类号: O484
• 字数: 2163字
• 语种: 中文

摘要

本文以烧结合成的CuInS2粉末为原料,采用单源热蒸发技术在玻璃基底上沉积CuInS2薄膜.随着退火温度的升高,薄膜的结晶性能增强,表现出高度的(112)晶面择优取向,SEM观察显示:350℃退火后,薄膜致密,晶粒细小,大小为数十纳米.同时,热探针测试发现:薄膜的导电类型为弱N型.光学性能方面,当退火温度高于250℃时,CuInS2薄膜的禁带宽度为1.50eV,接近吸收太阳光谱所需的理想禁带宽度值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王震东	复旦大学材料科学系	11	46	3.0	6.0
3	陈国荣	复旦大学材料科学系	35	270	10.0	14.0
4	莫晓亮	复旦大学材料科学系	19	118	8.0	10.0