正背栅SOI-MOSFET二维阈值电压解析模型

• 作者: 张国和 邵隽 陈婷
• 来源期刊: 新型工业化
• 关键词: 全耗尽SOI-MOSFET 背栅电压 阈值电压解析模型
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 设计与研究
• 页码范围: 54-63
• 页数: 10页
• 字数: 4123字
• 语种: 中文

摘要

通过建立沟道区域和埋氧区域的二维泊松方程，并考虑衬底区域的掺杂和背栅偏压对器件阈值电压的影响，得到了一种正背栅全耗尽SOI-MOSFET二维阈值电压模型。根据模型计算结果，研究了衬底掺杂浓度和衬底（背栅）偏压对器件阈值电压的影响，通过与MEDICI数值模拟结果的比较表明，该模型能预计不同衬底掺杂浓度和衬底（背栅）偏压对阈值电压的影响，正确反映器件的短沟效应和背栅效应。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国和	西安交通大学电子与信息工程学院	14	45	4.0	6.0
2	陈婷	西安交通大学电子与信息工程学院	32	162	6.0	12.0
3	邵隽	西安交通大学电子与信息工程学院	2	1	1.0	1.0