界面陷阱对高κ栅MOS器件C-V特性影响的定量研究

• 作者: 刘世宏 刘红侠
• 来源期刊: 新型工业化
• 关键词: MOS器件 界面陷阱 高κ栅 C-V特性
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 科研通讯
• 页码范围: 91-96
• 页数: 6页
• 字数: 2378字
• 语种: 中文

摘要

本文研究了界面陷阱对MOS器件栅电容C-V特性的影响。分别计算了几种不同的缺陷类型和不同分布形式界面陷阱作用下的栅电容 C-V 特性。研究结果表明，受主界面陷阱和中性电子界面陷阱导致MOS器件的平带电压向右移动，而施主界面陷阱和中性空穴界面陷阱会导致平带电压左移；能量分布在禁带中央的界面陷阱比靠近导带或价带的界面陷阱对C-V曲线的影响大。上述研究结果对定量研究不同类型的界面陷阱对高κ栅MOS器件电特性的影响有重要意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	刘世宏	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	4	1.0	1.0