区熔硅单晶掺杂技术概述

• 作者: 庞炳远
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 区熔 硅单晶 掺杂
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 材料制备与设备
• 页码范围: 52-54
• 分类号: TN304.05
• 字数: 3338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2011.05.012

摘要

区熔硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料,高质量的电力电子器件的发展对区熔硅单晶的高完整性、高纯度、高均匀性及大直径化提出了较高的要求.随着电力电子器件快速发展,市场需求急剧增加,为了深入的研究并应用掺杂技术,对几种掺杂工艺进行了分析和探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庞炳远	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	17	3.0	3.0