F-离子注入实现的AlGaN／GaN增强型HEMT器件特性的模型分析

• 作者: 张旻 张继华 杨传仁
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: F-注入 增强型HEMT 数值模拟
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 21-23
• 页数: 3页
• 分类号: TN386

摘要

文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨传仁	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	69	525	11.0	18.0
2	张继华	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	47	193	8.0	9.0
3	张旻	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0