磁控溅射沉积Cu-W薄膜的特征及热处理的影响

• 作者: 周铖 孙勇 彭明军 殷国祥 郭中正
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu-W合金薄膜 纳米晶结构 热处理 显微硬度 电阻率
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 97-101
• 分类号: TB43|TG146.4
• 字数: 3925字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控共溅射法制备含钨1.51%～14.20%(原子分数,下同)的Cu-W合金薄膜,并用EDX、XRD、SEM、显微硬度仪和电阻仪研究了其成分、结构及性能.结果表明,添加W可显著细化Cu-W薄膜基体相晶粒,晶粒尺寸随W含量的增加而减小,Cu-W薄膜呈纳米晶结构.Cu-W薄膜中存在W在Cu中形成的fcc Cu(W)非平衡亚稳过饱和固溶体,固溶度随W含量的增加而提高,最大值为10.65%.与纯Cu膜对比发现,薄膜的显微硬度和电阻率总体上随W含量的增加而显著增大.经200℃、400℃及650℃热处理1h后,Cu-W薄膜基体相晶粒长大,EDX分析显示晶界处出现富W第二相;薄膜显微硬度降低,电阻率下降,降幅与退火温度呈正相关.添加W引起的晶粒细化效应以及退火中基体相晶粒度增大分别是Cu-W薄膜微观结构和性能形成及演变的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙勇	昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室	105	750	13.0	21.0
2	彭明军	昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室	32	155	8.0	10.0
3	殷国祥	昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室	7	48	4.0	6.0
4	郭中正	昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室	29	152	8.0	11.0
5	周铖	昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室	6	24	3.0	4.0