基于电导法的GaN/AlGaN HEMT界面态分析

• 作者: 常正阳
• 来源期刊: 科技创新导报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN/AlGaN HEMT 界面态 电导法 退化
• 年，卷（期）: 2011,（26）
• 所属期刊栏目: 工业技术
• 页码范围: 80-80
• 分类号: TN710
• 字数: 1457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-098X.2011.26.062

摘要

本文通过I-V法测试得到25-200℃范围内GaN/AlGaN HEMT器件直流特性随温度的退化情况,同时通过C-V法测试了器件在25-100℃范围内电容、电导随频率、温度变化的特性。经电导法分析发现器件界面处存在高密度陷阱态进一步分析认为,高密度界面陷阱态是引起器件高温特性退化的原因。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常正阳		1	2	1.0	1.0