MOS器件中的电离损伤机制

• 作者: 答元 陈世彬
• 来源期刊: 中小企业管理与科技
• 学科: 工学
• 关键词: MOS 电离辐射 阈值电压
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 科学实践
• 页码范围: 295-296
• 分类号: TN722.77
• 字数: 1854字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1069.2011.09.267

摘要

针对总剂量电离辐射效应对MOS器件的影响,研究了MOS器件中的电离损伤机制,MOS器件的SiO2氧化层中因为电离辐射而有沉积能量,使得氧化层电荷和界面态电荷在半导体(Si)表面感生出电荷,使SiO2/Si界面电势变化,从而导致MOS管的阈值电压漂移、跨导退化和漏极电流下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	答元		11	38	4.0	6.0
2	陈世彬		5	10	2.0	3.0