衬底温度对Inx Ga1-x N薄膜结构特性的影响

• 作者: 周凯 姜舒博 张衷维 李石亮 杨醒 汪子涵 牛伟凯 王一 王金飞 祝俊刚 蓝英杰 薛玉明 裴涛 谭炳尧
• 来源期刊: 天津理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InxGa1-xN薄膜 MOCVD 太阳电池 衬底温度
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 79-82
• 分类号: O484.4|O472+.8|O742+.5|O461.1
• 字数: 3169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-095X.2012.01.019

摘要

本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1 - xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92％；薄膜表面光滑致密,粗糙度小；颗粒较大,且颗粒大小均匀.