4H-SiC高速同质外延研究

• 作者: 刘学超 施尔畏 朱明星 石彪 陈义
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 同质外延 结晶缺陷 表面形貌缺陷
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 785-789
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.11577

摘要

研究了生长温度为1400℃时4H-SiC同质外延膜的生长速率、表面形貌及缺陷.拉曼表征并结合KOH腐蚀表明外延膜中未出现3C-SiC多晶,为单一的4H-SiC晶型.通过KOH腐蚀发现,低生长速率和高C/Si比有利于衬底表面的基平面位错(BPDs)转变成露头刃位错(TEDs).在高生长速率下,外延膜的表面三角形缺陷和位错密度会显著增加.通过引入界面层,可以实现生长初期的平滑过渡,极大地降低高生长速率下外延膜的缺陷密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈义	中国科学院上海硅酸盐研究所	77	763	15.0	24.0
2	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
3	刘学超	中国科学院上海硅酸盐研究所	13	94	4.0	9.0
4	石彪	中国科学院上海硅酸盐研究所	14	60	5.0	7.0
5	朱明星	中国科学院上海硅酸盐研究所	3	10	2.0	3.0