一种超深亚微米SRAM存储单元的设计方法

• 作者: 钱榴源 陈则王
• 来源期刊: 佳木斯大学学报：自然科学版
• 学科: 工学
• 关键词: 静态随机存储器 超深亚微米 6T存储单元 尺寸 仿真
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 213-217
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 2416字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-1402.2012.02.013

摘要

首先分析了静态随机存储器（SRAM）6T存储单元结构的基本工作原理,为缩短仿真时间,构建了一种简化的SRAM电路,并通过仿真证实了此简化电路具有正确的读、写功能.鉴于本文仿真在TSMC180nm工艺下进行,且结合存储单元的W/L比例限制,最终选取了一组可行的晶体管尺寸.本文仿真均通过Hspice电路仿真软件进行仿真、验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈则王	南京航空航天大学自动化学院	37	388	11.0	19.0
2	钱榴源	南京航空航天大学自动化学院	1	1	1.0	1.0