硼掺杂对热丝CVD法制备纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响

• 作者: 刘斌 吴天如 张磊 沈鸿烈 潘园园
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺杂比例 硼掺杂 纳米晶硅 热丝化学气相沉积 电导率
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 509-513
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.06.12

摘要

采用热丝化学气相沉积法制备了不同B2H6掺杂比例(B2H6／SiH4为2％ ～ 15％)的p型纳米晶硅薄膜,通过探索B2H6掺杂比例、晶化率、光学带隙和电学性能(电导率、载流子浓度、霍尔迁移率)之间的关系以及薄膜掺杂机理来研究B2H6掺杂比例对薄膜微结构和光电性能的影响.在掺杂比例为11％时成功获得了电导率为32 S/cm的高电导率硼掺杂nc-Si:H薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张磊	南京航空航天大学材料科学与技术学院	82	468	13.0	16.0
2	刘斌	南京航空航天大学材料科学与技术学院	50	2075	20.0	45.0
3	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0
4	吴天如	南京航空航天大学材料科学与技术学院	10	38	3.0	6.0
5	潘园园	南京航空航天大学材料科学与技术学院	4	7	2.0	2.0