SiC JFET功率特性的仿真与优化

• 作者: 张林 杨霏 肖剑 邱彦章
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 结型场效应晶体管 数值模型
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 402-405
• 分类号: TN386
• 字数: 1644字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.03.025

摘要

建立了常关型SiC结型场效应晶体管(JFET)功率特性的数值模型,研究了不同的结构和材料参数对器件功率特性的影响.仿真结果显示,沟道层、漂移层等各层的厚度及掺杂浓度对器件的开态电阻和击穿电压都有明显的影响；采用电流增强层可以明显提高器件的功率特性.研究结果表明,对SiC JFET的结构参数进行优化,可以有效提高器件的优值(FOM).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张林	长安大学电子与控制工程学院道路交通检测与装备工程技术研究中心	36	203	8.0	13.0
2	邱彦章	长安大学电子与控制工程学院道路交通检测与装备工程技术研究中心	22	68	6.0	7.0
3	杨霏	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室	4	10	2.0	3.0
4	肖剑	长安大学电子与控制工程学院道路交通检测与装备工程技术研究中心	12	34	4.0	5.0