基于负电容补偿技术的CMOS低噪声放大器设计

• 作者: 李云峰 舒应超 赵吉祥
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 负电容电路 CMOS
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 318-322,326
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2785字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.03.006

摘要

利用负电容电路补偿技术,设计了一个工作于2.4 GHz频段的差分低噪声放大器.基于CHRT 0.25 μm RF CMOS工艺,对电路进行仿真.与传统的共源共栅结构相比,引入负电容电路对共源管的栅漏寄生电容进行补偿,可以使放大器的匹配度、噪声系数、线性度等关键性能指标得到显著改善.仿真结果显示,该放大器的正向功率增益为17.7 dB,噪声系数为1 dB,IIP3为-4.9 dBm,功耗为25 mW,具有良好的输入输出匹配.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李云峰		12	26	3.0	4.0
2	赵吉祥		29	163	7.0	11.0
3	舒应超		2	0	0.0	0.0