星用功率VDMOS器件SEGR效应研究

• 作者: 刘刚 吴海舟 宋李梅 张彦飞 王立新 韩郑生 高博
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 航空航天
• 关键词: 功率VDMOS器件 SEGR效应 加速器 注量率
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 434-437
• 分类号: V443
• 字数: 1712字
• 语种: 中文

摘要

对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应.研究结果显示:栅源电压为0V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应能力达到技术指标要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
3	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
4	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
5	高博	中国科学院微电子研究所	13	52	4.0	7.0
6	张彦飞	中国科学院微电子研究所	5	18	3.0	4.0
7	吴海舟	中国科学院微电子研究所	1	7	1.0	1.0