直流反应磁控溅射法制备ZnO: Zr透明导电薄膜

• 作者: 刘汉法 张化福 类成新 袁长坤
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直流反应磁控溅射 ZnO∶ Zr薄膜 透明导电薄膜 沉积压强
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 977-981
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2|TN304.055
• 语种: 中文

摘要

以Zn∶ Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶ Zr透明导电薄薄膜.研究了沉积压强对ZnO∶ Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响.实验结果表明所制备的ZnO∶ Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向.沉积压强对ZnO∶ Zr薄膜的晶化程度、形貌、生长速率和电阻率影响很大,而对其光学性能如透光率、光学带隙及折射率影响不大.当沉积压强为2Pa时,ZnO∶ Zr薄膜的电阻率达到最小值2.0×10-3Ω ·cm,其可见光平均透过率和平均折射率分别为83.2％和1.97.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘汉法	山东理工大学理学院	57	316	11.0	13.0
2	张化福	山东理工大学理学院	52	292	11.0	13.0
3	类成新	山东理工大学理学院	48	201	8.0	10.0
4	袁长坤	山东理工大学理学院	23	126	6.0	10.0