射频功率对RF-PECVD法制备纳米硅薄膜结构特征和光学特性的影响

• 作者: 娄建忠 张二鹏 李钗 江子荣 王峰 闫小兵 马蕾
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: RF-PECVD nc-Si∶H薄膜 结构特征 光学特性
• 年，卷（期）: 2012,（23）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 3329-3332
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3607字
• 语种: 中文

摘要

利用射频等离子体增强型化学气相沉积（RF-PECVD）工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在石英衬底上制备了氢化纳米硅（nc-Si∶H）薄膜。其中衬底温度为250℃,H2稀释比为99%,反应压强为133Pa和射频功率为20～60W。采用α-台阶仪、X射线衍射仪（XRD）、Raman光谱仪、傅立叶变换红外光谱仪（FT-IR）和紫外-可见光分光光度计等对薄膜的结构特征和光学特性进行了测试研究。结果表明,随着射频功率的增大,nc-Si∶H薄膜的沉积速率增加,晶化率提高,晶粒尺寸增大和氢含量减小,同时薄膜的吸收系数增强,光学带隙变窄,结构有序性增强和带尾态宽度减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马蕾	河北大学电子信息工程学院	43	157	8.0	10.0
2	娄建忠	河北大学电子信息工程学院	25	64	5.0	6.0
3	闫小兵	河北大学电子信息工程学院	22	70	4.0	8.0
4	王峰	河北大学电子信息工程学院	11	27	3.0	4.0
5	江子荣	河北大学电子信息工程学院	5	15	2.0	3.0
6	张二鹏	河北大学电子信息工程学院	5	11	2.0	3.0
7	李钗	河北大学电子信息工程学院	5	11	2.0	3.0