基于ICP刻蚀GaN选择比的研究

• 作者: 董超俊 郭雄伟
• 来源期刊: 工业控制计算机
• 学科: 农学
• 关键词: 选择比 电感耦合等离子体 干法刻蚀 偏置功率
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 电子技术应用
• 页码范围: 112-113
• 分类号: S126
• 字数: 2459字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-182X.2012.03.053

摘要

在干法刻蚀GaN时使用AZ-4620作为掩膜层,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/AZ-4620刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和BCl3作为刻蚀气体,改变气体总流量、直流自偏压、ICP功率、气体组分等工艺条件,并讨论了这些因素对GaN/AZ-4620刻蚀选择比以及对GaN刻蚀速率的影响.实验结果获得了GaN在刻蚀速率为225nm/min时的GaN/AZ-4620选择比为0.92,可以应用于实际生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董超俊	五邑大学信息工程学院	50	388	9.0	18.0
2	郭雄伟	五邑大学信息工程学院	2	2	1.0	1.0