阳极端点支撑空气桥结构太赫兹GaAs二极管

• 作者: 冯志红 宋旭波 张士祖 张立森 梁士雄 王俊龙 蔡树军 邢东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹 GaAs肖特基二极管 悬浮空气桥 寄生电容 串联电阻
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 279-282
• 分类号: TN315.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.04.008

摘要

研发了具有阳极端点支撑悬浮空气桥结构的太赫兹GaAs肖特基二极管工艺制作技术.该制作技术可以大幅降低GaAs肖特基二极管的寄生电容.利用此项技术,制作出了具有极小寄生电容和串联电阻的太赫兹GaAs肖特基二极管.GaAs肖特基二极管芯片采用了小尺寸芯片设计,芯片厚度为25 μm、芯片长度为175 μm、芯片宽度为55 μm,其中单阳极GaAs肖特基二极管的结电容小于4fF,串联电阻小于5 Ω,总电容的典型值为7～8fF.根据GaAs肖特基二极管的总电容(CT)计算,二极管的截止频率(fc)高达3.9 THz.这种GaAs肖特基二极管适合应用在太赫兹频段上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡树军		18	62	4.0	7.0
2	冯志红		38	81	5.0	5.0
3	邢东		8	27	4.0	4.0
4	王俊龙		7	25	3.0	4.0
5	张立森		9	29	4.0	4.0
6	梁士雄		9	29	4.0	4.0
7	宋旭波		3	7	2.0	2.0
8	张士祖		1	5	1.0	1.0