基体偏压对高功率脉冲磁控溅射制备类石墨碳膜的影响研究

• 作者: 张学谦 柯培玲 汪爱英 黄美东
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率脉冲磁控溅射 偏压 类石墨碳膜 微观结构
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 969-974
• 分类号: TB79
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2013.10.03

摘要

采用高功率脉冲磁控溅射技术于Si基底表面制备了类石墨碳膜,研究了基体偏压对薄膜沉积速率、微观结构、力学性能及摩擦学性能的影响规律.结果表明:随着基底偏压的增高,GLC薄膜sp2含量呈先减小后增加的趋势,在-100V时达到最小值;其表面粗糙度逐渐降低;硬度和内应力逐渐增大;在基体偏压为-300V时薄膜的摩擦性能最好,高sp2含量、高硬度和低表面粗糙度共同决定了GLC薄膜优异的摩擦学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄美东		56	185	7.0	10.0
2	汪爱英	中科院宁波材料技术与工程研究所	2	20	2.0	2.0
3	张学谦		4	17	2.0	4.0
7	柯培玲	中科院宁波材料技术与工程研究所	1	11	1.0	1.0