毫米波超宽带大功率单片单刀双掷开关

• 作者: 刘会东 吴洪江 高学邦 魏洪涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 毫米波 单刀双掷(SPDT) 砷化镓 pin二极管 微波单片集成电路(MMIC)
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 581-584
• 分类号: TM564.3|TN454
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.08.005

摘要

采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路.在GaAs pin二极营建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型；在电路设计阶段采用GaAs pin二极管单级并联结构,提高功率特性；在工艺加工阶段调整p+层、n+层的掺杂浓度和i层的厚度,获得低损耗、高功率特性的GaAs pin二极管；最终制备的单刀双掷开关芯片在片测试表明,在25 ～40 GHz范围内插入损耗小于1.0 dB,隔离度大于25 dB,输入输出电压驻波比小于2.0∶1,具有优异的宽带小信号特性；35 GHz下承受功率高达34 dBm,具有非常好的功率特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏洪涛		3	16	2.0	3.0
2	高学邦		5	15	3.0	3.0
3	吴洪江		4	11	2.0	3.0
4	刘会东		2	6	1.0	2.0