半浮栅晶体管 产业前景千亿元

• 作者: 季建平
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 浮栅 微电子器件 功率密度 一氧化物 闪存芯片 原创性成果 半导体加工 器件技术 物理极限 电子芯片
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（4）
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 分类号: TN32

摘要

【正】8月9日出版的最新一期《科学》杂志上,中国科学家的半浮栅晶体管(SFGT)研发成果引起世界关注,因为它有望让电子芯片的性能实现突破性提升。这篇由复旦大学微电子学院张卫教授课题组发表的最新科研论文,也是我国在该学术期刊上发表的首篇微电子器件领域原创性成果。半导体加工面临物理极限,半浮栅晶体管提速节能,或突破瓶颈金属一氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中最基本的器件,工艺的进步让MOSFET的尺寸不断缩小,其功率密度也一直在升高。低功率的隧穿场效应晶体管(TFET)被认为是该器件发展的一大未来技术走向。而我们常用的U盘等闪存芯片则采用了另一种称为浮栅晶体管的器件,