Ge2Sb2Te5的化学机械抛光研究进展

• 作者: 任佳栋 何敖东 冯高明 刘波 吴关平 宋志棠 封松林 朱南飞
• 来源期刊: 化学学报
• 关键词: Ge2Sb2Te5 化学机械抛光 相变存储器
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1111-1117
• 语种: 中文
• DOI: 10.6023/A13030326

摘要

相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为最有可能成为下一代存储器的主流产品,Ge2Sb2Te5 (GST)作为一种传统相变材料已经被广泛应用在相变存储器中,而GST的化学机械抛光作为相变存储器生产的关键工艺目前已被采用.本工作综述了有关GST的化学机械抛光技术研究进展,讨论了GST化学机械抛光过程的影响因素,如下压力、转速、抛光垫、磨料、氧化剂、表面活性剂等,并对目前GST的化学机械抛光机理进行了归纳,进一步展望了GST的化学机械抛光技术的发展前景.