衬底对宽带隙CGS薄膜的影响

• 作者: 乔在祥 李微 杨立 肖温 赵彦民 陈贵锋
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 宽带隙 铜镓硒 共蒸发 衬底
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 页码范围: 2572-2575
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2458字
• 语种: 中文

摘要

分别在Al∶ ZnO(ZAO)薄膜和Mo薄膜两种不同衬底材料上,采用“三步法”共蒸发工艺沉积了约0.8 μm厚的CuGaSe2(CGS)薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究不同衬底材料对CGS薄膜的影响.在ZAO薄膜底电极上沉积的CGS薄膜的(112)衍射峰强度较Mo薄膜底电极上减弱,(220/204)衍射峰反而增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔在祥	中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室	16	28	3.0	5.0
2	陈贵锋	河北工业大学材料科学与工程学院	22	59	5.0	6.0
3	肖温	河北工业大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
4	李微	中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室	10	50	3.0	7.0
5	赵彦民	中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室	8	29	4.0	5.0
6	杨立	中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室	7	15	2.0	3.0