使用Sentaurus TCAD软件设计和仿真0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件

• 作者: 周永辉
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: SOI P-Wel MOSFET H栅 Sentaurus TCAD
• 年，卷（期）: 2013,（21）
• 所属期刊栏目: 科研发展
• 页码范围: 95-95,96
• 页数: 2页
• 字数: 2088字
• 语种: 中文

摘要

绝缘体上硅（Silicon On Insulator，简称SOI）以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SDE（Sentaurus Structure Editor）工具设计一个0.18μmH栅P-Wel SOI MOSFET器件结构，并且运用Sentaurus TCAD软件中的Sentaurus Device工具进行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压（Vth=1.104V）和饱和电流（Idsat=3.121E-4A）。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周永辉		1	4	1.0	1.0