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摘要:
绝缘体上硅(Silicon On Insulator,简称SOI)以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足,使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SDE(Sentaurus Structure Editor)工具设计一个0.18μmH栅P-Wel SOI MOSFET器件结构,并且运用Sentaurus TCAD软件中的Sentaurus Device工具进行器件特性仿真,使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压(Vth=1.104V)和饱和电流(Idsat=3.121E-4A)。
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栅-漏电荷
模拟
器件与工艺计算机辅助设计
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 使用Sentaurus TCAD软件设计和仿真0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件
来源期刊 电子世界 学科
关键词 SOI P-Wel MOSFET H栅 Sentaurus TCAD
年,卷(期) 2013,(21) 所属期刊栏目 科研发展
研究方向 页码范围 95-95,96
页数 2页 分类号
字数 2088字 语种 中文
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作者信息
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1 周永辉 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
SOI
P-Wel MOSFET
H栅
Sentaurus TCAD
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相关学者/机构
期刊影响力
电子世界
半月刊
1003-0522
11-2086/TN
大16开
北京市
2-892
1979
chi
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36164
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