CMOS集成电路闩锁效应抑制技术综述

• 作者: 唐立伟
• 来源期刊: 才智
• 关键词: CMOS集成电路 闩锁效应 可控硅 抑制
• 年，卷（期）: 2013,（21）
• 页码范围: 240-240,241
• 页数: 2页
• 字数: 3949字
• 语种: 中文

摘要

CMOS集成电路在实际的应用中会出现一些问题，问题主要表现在闩锁效应上，闩锁效应已经成为CMOS集成电路正常运作的障碍。特别是随着器件的特征尺码越来越小，这种问题日益突出。本文以P阱CMOS反相器的研究为出发点，探讨CMOS集成电路的工艺结构，并且在此基础上运用可控硅等效电路模型进行分析。通过这些来分析闩锁效应产生的机制和原因，进而探索出闩锁效应产生的3个诱因。从这3个原因出发，然后探讨出抑制闩锁效应的几个措施，这些措施主要是从版图设计和工艺设计方面出发研究出来的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐立伟		2	6	2.0	2.0