零偏4H-SiC衬底的同质外延方法

• 作者: 吕红亮 孙哲 张义门 张玉明 杨霏 汤晓燕 王悦湖 贾仁需 钮应喜
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 零偏4H-SiC 同质外延 基面位错 原位刻蚀 化学气相沉积(CVD)
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 48-52
• 分类号: TN304.054|TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.01.008

摘要

基于水平热壁化学气相沉积(CVD)技术,采用原位刻蚀方法,在3英寸(1英寸=2.54 cm) (0001) Si面零偏4H-SiC衬底上生长了高质量的同质外延层,并对其主要工艺参数和生长机制进行了探讨.利用微分干涉相差显微镜、喇曼散射及湿法腐蚀等表征手法对样品进行了测试分析.测量结果表明,4H-SiC占整个外延表面积的99％以上,此外,该工艺消除了4H-SiC同质外延层中的基面位错,提高了外延层的质量.同时对零偏4H-SiC衬底的同质外延的工艺过程和理论进行了研究和讨论,实验发现,生长前的原位刻蚀、初始生长参数、碳硅原子比以及生长温度对于维持外延层晶型、避免3C-SiC多型的产生具有重要影响.