一种高压大电流IGBT的设计与实现

• 作者: 余庆 张世峰 张斌 张炜 韩雁
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 元胞结构 终端结构 高压大电流 多晶硅场板
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 747-751
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.10.006

摘要

提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1 700 V/100 A高压大电流的NPT-IGBT,包括其元胞结构、终端结构、工艺流程及版图的设计.通过分析及仿真确定元胞的结构参数;采用场限环与场板相结合的终端结构,讨论场板的设置对终端结构的影响,提出了多晶硅场板设置的方案;流片完成后进行半桥模块的封装,并对模块进行了测试.击穿电压达1700V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间小于800 ns、关断功耗小于30 mJ,均达到设计要求.导通饱和压降3.5V(略高),可通过增大芯片尺寸的方法加以改进.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张炜	浙江大学信电系微电子与光电子研究所	72	529	11.0	22.0
2	韩雁	浙江大学信电系微电子与光电子研究所	62	299	9.0	15.0
3	张斌	浙江大学信电系微电子与光电子研究所	71	903	16.0	29.0
4	余庆		4	5	2.0	2.0
5	张世峰	浙江大学信电系微电子与光电子研究所	6	12	2.0	3.0