一款SRAM芯片的设计与测试

• 作者: 侯立刚 刘文斌 杨洪艳 汪金辉 袁颖
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: SRAM 灵敏放大器 译码器 芯片测试 存取时间
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 495-498,502
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

基于Chartered 0.35 μm EEPROM CMOS工艺,采用全定制方法设计了一款应用于低功耗和低成本电子设备的8×8 bit SRAM芯片.测试结果表明,在电源电压为3.3 V,时钟频率为20MHz的条件下,芯片功能正确、性能稳定、达到设计要求,存取时间约为6.2 ns,最大功耗约为6.12 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯立刚	北京工业大学集成电路与系统研究室	75	360	11.0	15.0
2	汪金辉	北京工业大学集成电路与系统研究室	36	129	6.0	9.0
3	袁颖	北京工业大学集成电路与系统研究室	17	39	4.0	5.0
4	杨洪艳	北京工业大学集成电路与系统研究室	3	7	2.0	2.0
5	刘文斌	北京工业大学集成电路与系统研究室	4	19	3.0	4.0