MgO/Au复合薄膜的反应射频磁控溅射法制备及表面形貌研究

• 作者: 吴胜利 李亨 胡文波 魏强
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 反应射频磁控溅射 MgO复合薄膜 表面形貌 结晶取向
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 842-846
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2014.08.13

摘要

采用反应射频磁控溅射法制备MgO/Au复合薄膜,并对使用Mg靶和Au靶共溅射、分步溅射方式以及在不同的衬底温度和Ar/O2气体流量比下制备的样品进行X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电子显微镜分析,研究了主要工艺参数对复合薄膜表面成分和形貌的影响.结果表明,采用共溅射方式制备的复合薄膜中Au元素的含量偏高,薄膜表面有团聚生长的Au晶粒,而采用分步溅射法可以使复合薄膜中Au元素的摩尔百分比下降到7.30％.采用分步溅射制备复合薄膜时,较高的衬底温度有助于MgO晶粒的生长,当衬底温度为500℃,通入Ar气和O2气的流量分别为25和5mL/min时,MgO晶粒尺寸达到了30～40 nm;MO薄膜主要呈现出了(111)、(200)和(220)三种结晶取向,较高的Ar/O2气体流量比有利于(200)晶向的形成,而较低的Ar/O2气体流量比有利于(220)晶向的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡文波	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	32	92	5.0	7.0
2	吴胜利	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	46	216	9.0	12.0
3	魏强	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	10	36	4.0	5.0
4	李亨	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0