InGaAs MOSFET的电容电压特性

• 作者: 陈军 黄大鸣
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs MOSFET 电容电压特性 量子效应
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 140-144
• 分类号: TN306
• 语种: 中文

摘要

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAsMOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较.研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低.研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈军	复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室	21	83	5.0	8.0
2	黄大鸣	复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室	7	15	2.0	3.0