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摘要:
对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究.选取了两种类型的双极晶体管,利用60 Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律;建立了衬底型NPN晶体管理论模型,利用半导体模拟软件模拟了载流子在氧化层中的输运、捕获及释放等物理过程,得到了NPN晶体管基极电流随总剂量和剂量率的变化规律.结果表明,双极晶体管在不同剂量率下表现出低剂量率辐射损伤增强效应,主要是因为高剂量率和低剂量率下晶体管基区氧化层内产生的氧化物陷阱电荷所形成的空间电场不同.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 双极晶体管ELDRS实验及数值模拟
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 双极晶体管 低剂量率 氧化物陷阱电荷 空间电场
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目 半导体器件与工艺
研究方向 页码范围 262-266,270
页数 分类号 TN431
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
双极晶体管
低剂量率
氧化物陷阱电荷
空间电场
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
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