熔融KOH腐蚀4H-SiC外延层的研究

• 作者: 冯志红 李佳 杨霏 王嘉铭 王方方 王永维 芦伟立 钮应喜
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 外延 腐蚀
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 大功率电力电子器件
• 页码范围: 1164-1167
• 页数: 4页
• 分类号: TN30
• 字数: 1692字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2015.12.014

摘要

SiC作为一种宽禁带半导体材料,在高温、高压和大功率应用领域具有巨大的应用潜力,可促进全球能源互联网建设.掌握SiC材料缺陷控制技术以及对缺陷的表征和统计是SiC电力电子器件发展的必要前提.使用熔融KOH对4H-SiC外延层进行腐蚀处理,分析腐蚀机制,并研究腐蚀温度和时间对外延层中缺陷的影响.通过光学显微镜对外延层中缺陷进行观察,研究位错腐蚀坑形成机制,并根据腐蚀坑形貌进行分类,获得4H-SiC外延层腐蚀的最优温度以及腐蚀时间与缺陷腐蚀坑形貌的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨霏		10	18	3.0	4.0
2	王永维	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	7	2.0	2.0
3	钮应喜		4	6	1.0	2.0
4	芦伟立		1	0	0.0	0.0
5	王方方		1	0	0.0	0.0
6	王嘉铭		1	0	0.0	0.0
7	李佳		1	0	0.0	0.0
8	冯志红		1	0	0.0	0.0