3C-SiC薄膜反向外延生长工艺的研究

• 作者: 杨治美 王磊 罗杰斯 龚敏
• 来源期刊: 光散射学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方碳化硅 低压化学气相沉积 硅衬底 反向外延
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究中的应用
• 页码范围: 144-147
• 页数: 4页
• 分类号: O522|O484
• 字数: 2105字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13883/j.issn1004-5929.201502008

摘要

本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以甲烷CH4作为反应碳气体源,氢气H2作为稀释气体,将两者混合后,在n型Si(111)衬底上反向外延生长n型3C-SiC薄膜.采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(RAM)及扫描电子显微镜(SEM)对生长的3C-SiC薄膜进行测试和分析.对比在相同的反应温度下,不同的热处理方式对生长的3C-SiC薄膜质量的影响,进一步探讨SiC薄膜反向外延生长工艺的改进方法.结果表明,较慢的降温速率能够生长出质量较高的3C-SiC薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	119	709	16.0	22.0
2	龚敏	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	109	372	10.0	12.0
3	杨治美	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	11	32	3.0	5.0
4	罗杰斯	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	3	7	2.0	2.0