基于片上变压器耦合的CMOS功率放大器设计

• 作者: 周鑫 徐元中 梅菲
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 功率放大器 片上变压器 匹配 无源器件 电磁仿真
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 87-89
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.06.022

摘要

设计了一个2 GHz全集成的CMOS功率放大器（PA），该PA的匹配网络采用片上变压器实现，片上变压器用来实现单端信号和差分信号之间的转换和输入、输出端的阻抗匹配。采用ADS Momentum软件对片上变压器进行电磁仿真，在2 GHz频点，输入、级间和输出变压器的功率传输效率分别为74.2%，75.5%和78.4%。该PA基于TSMC 65 nm CMOS模型设计，采用Agilent ADS软件进行电路仿真，仿真结果表明：在2.5 V供电电压、2 GHz工作频率点，PA的输入、输出完全匹配到50?（S11=–22.4 dB、S22=–13.5 dB），功率增益为33.2 dB，最高输出功率达到23.4 dBm，最高功率附加效率（PAE）达到35.3%，芯片面积仅为1.01 mm2。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐元中	湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心	16	24	3.0	4.0
2	梅菲	湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心	17	32	3.0	5.0
3	周鑫	湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心	3	10	2.0	3.0