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摘要:
采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p+区和低掺杂p-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管.与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造工艺条件、掩模版数量保持不变,只需设计高掺杂p+区和低掺杂p-区层次掩模版图案,即可实现发射极注入效率的自调节,制造成本低;其反向恢复电荷减小了30.4%,反向电流峰值减小了29%,反向电压峰值减小了6.7%,反向恢复时间减小了11%,开关器件的工作损耗降低,折衷性能更加优良;在VF基本相当的情况下,反向恢复软度特性更优.
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文献信息
篇名 一种新型低阳极发射效率快恢复二极管
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 快恢复二极管(FRD) 低阳极发射效率 导通压降 反向恢复电荷 反向恢复电流峰值
年,卷(期) 2015,(12) 所属期刊栏目 半导体器件
研究方向 页码范围 911-915
页数 分类号 TN313.4
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.12.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 温家良 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所 16 304 11.0 16.0
2 刘钺杨 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所 6 21 3.0 4.0
3 金锐 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所 11 77 5.0 8.0
4 吴迪 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所 2 5 1.0 2.0
5 何延强 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所 1 1 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
快恢复二极管(FRD)
低阳极发射效率
导通压降
反向恢复电荷
反向恢复电流峰值
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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