高浓度臭氧超净水制备及在硅片清洗中的应用

• 作者: 白敏菂
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 强电离放电 臭氧 臭氧超净水 硅片 清洗
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 671-674,691
• 分类号: TN305.97
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.09.007

摘要

利用自主研发强电离放电的臭氧超净水产生系统,采用强电场电离放电把氧激发、电离,电离离解成O,O-,O+,O(1 D)和O2(a1△g)等活性粒子,它们进一步反应形成高浓度气态O3,再用强激励方法把气态O3高效率溶于超净水中形成高浓度臭氧超净水.实验结果表明,当强电离放电电场强度为96 kV/cm,放电功率为800 W,形成高浓度臭氧超净水反应时间为30 min时,臭氧超净水质量浓度达到34.2 mg/L,去除Fe,Cu和Al颗粒物效率达到90％以上,满足硅片清洗的要求,为硅片清洗提供了一种形成高浓度臭氧超净水新方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白敏菂	大连海事大学物理系	52	615	15.0	23.0