能带调控提高GaN/InGaN多量子阱蓝光LED效率研究

• 作者: 张连 李晋闽 王军喜 路坤熠 魏同波 魏学成
• 来源期刊: 中国科学（物理学 力学 天文学）
• 关键词: 氮化物 发光二极管 极化效应 能带
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 59-64
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/SSPMA2015-00045

摘要

InGaN/GaN多量子阱中由于存在极化效应导致能带弯曲,并由此导致电子和空穴在空间上被分离,因此严重降低了GaN基LED的发光效率.针对此问题,我们设计了一种组分渐变的量子阱结构,利用组分与能带的关系对量子阱进行能带调控,使得量子阱中的能带弯曲减弱.该方法有效增加了LED的光功率和外量子效率.电致发光谱测试显示,在注入电流为35 A/cm2时,具有能带调控量子阱的LED其外量子效率比传统结构的LED提高了10.6％,发光功率提高了9.8％.能带模拟显示,能带调控后的量子阱中能带倾斜现象减弱,且空穴浓度明显增加,因此电子空穴波函数在空间中的重叠面积得到有效提高,最终提高了辐射复合效率.