原子层沉积制备VO2薄膜及特性研究

• 作者: 冯昊 安忠维 惠龙飞 李建国 秦利军 龚婷
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 原子层沉积 VO2薄膜 热致相变 温度-电阻特性
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 243-249
• 分类号: TB34|TB381
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.02.21

摘要

原子层沉积(ALD)技术在制备薄膜时因具有厚度精确可控、三维均匀性好以及可以实现大面积成膜和低的成膜温度等优点而使其在各个领域受到广泛关注.本文采用ALD技术,以VO(aac)2和O2分别为钒源和氧源,使用不同的沉积温度(420～480℃)和退火条件(自然冷却、4和8h程序降温)在玻璃基底表面制备VO2薄膜.通过X-射线光电子能谱、X-射线衍射以及扫描电镜对薄膜的价态、结晶状况及表面微观形貌进行表征;通过四探针测试仪对所制备薄膜的半导体-金属相变特性进行了研究.实验结果表明.VO2薄膜相变特性与其微观结构和晶体取向有着直接关系.选择ALD脉冲时序为[10 s-20 s-20 s-20 s],循环周期数为300,在450℃沉积且采取自然冷却所制备的VO2薄膜结晶状态良好,相变前后薄膜方块电阻突变量大,具有良好的热致相变特性.因此,该ALD技术可以制备相变特性较好的VO2薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	安忠维		85	503	11.0	18.0
2	李建国		6	15	2.0	3.0
3	惠龙飞		4	10	1.0	3.0
4	冯昊		5	12	2.0	3.0
5	秦利军		4	12	2.0	3.0
6	龚婷		5	13	2.0	3.0