3300V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制

• 作者: 刘新宇 吴煜东 彭朝阳 申华军 白云 高云斌
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: 击穿电压 4H-SiC 结势垒肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件
• 页码范围: 46-50
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.200

摘要

为满足轨道交通电力牵引应用对高压SiC二极管器件的需求,对4H-SiC器件有源区采用了不同JBS栅条参数设计,并通过TCAD仿真对比分析了栅条参数对器件性能的影响;器件终端结构采用经过优化的35个场限环结构设计;最后采用Ti作为肖特基金属,制备获得的3 300 V/15 A 4H-SiC JBS器件势垒高度约为1.19 eV、击穿电压高于3 300 V.这是国内首次报道的3 300 V/15 A规格SiC JBS器件产品.通过实验测得:器件的特征导通电阻为7.6～19 mΩcm2;室温下,反向偏压达到3 300V时,器件的漏电流仅为0.3 μA,雪崩击穿电压达到3 800V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	白云	中国科学院微电子研究所	19	37	4.0	6.0
3	申华军	中国科学院微电子研究所	14	68	5.0	8.0
4	彭朝阳	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
5	吴煜东	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
6	高云斌	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0